ハイブリッド車や新幹線など多くのモータ制御を可能としているパワー半導体素子のほとんどすべてをIGBTが席捲している。このIGBTは、いままでアメリカ生まれの素子と思われていたが、1968年に日本にて最初の特許が出願され、かつ成立していることがわかった。いったい真の発明者は誰なのか？またIGBTは当初多くの問題を抱え、デバイス開発者たちは周囲からの「やめろ！」という非難に立ち向かって開発を続けた。世代交代を通して急激に発展したIGBTも、これら開発者たちの努力や失敗の産物である。四半世紀の間に繰り広げられた開発者たちの葛藤とそれをどのように克服して乗り越えたのか、IGBT開発の歴史の裏に技術者たちの真の姿が浮かび上がる。