内容紹介
電子デバイスの基礎がコンパクトにまとまった、待望の教科書!
中部圏における電気・電子・情報系学科の大学学部向け2単位用のテキストシリーズの一巻。現インターユニバーシティシリーズを現在の大学の講義の内容・実態に合わせて発展させるもの。
本書は、半導体接合、金属-半導体接合の構造と特性、基本的な半導体デバイスであるダイオードと各種トランジスタの動作原理と特性についてわかりやすく解説。章末には、まとめと演習問題が充実。
このような方におすすめ
電気・電子・情報系の学科の大学学部1、2年生
目次
主要目次
序章 電子デバイスの学び方
1章 半導体の基礎
2章 pn接合
3章 バイポーラトランジスタ
4章 pn接合を用いた複合素子
5章 絶縁体-半導体界面
6章 MOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)
7章 MOS型電界効果トランジスタの諸現象と複合素子
8章 ショットキー接合とヘテロ接合
9章 ショットキーゲート電界効果トランジスタと高電子移動度トランジスタ
10章 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
11章 量子効果デバイス
12章 デバイスの集積
詳細目次
序章 電子デバイスの学び方
1 トランジスタ開発の歴史を振り返ろう
2 本書の構成
3 電子デバイスの学び方
1章 半導体の基礎
1 半導体のエネルギーバンドとは?
2 正の電荷をもつ粒子:正孔とは?
3 半導体にキャリアを導入する
4 キャリア濃度とフェルミ準位について学ぼう
5 半導体中で電気はどのように流れるのか?
6 拡散電流とは何か?
7 少数キャリア連続の式
まとめ
演習問題
2章 pn接合
1 pn接合の構造とエネルギーバンド図,内蔵電位,分布関数を理解しよう
2 少数キャリアの注入と拡散
3 pn接合の電流-電圧特性を理解しよう
4 pn接合の容量を計算してみよう
5 逆バイアスにおける降伏現象について理解しよう
6 トンネルダイオードの特性を理解しよう
まとめ
演習問題
3章 バイポーラトランジスタ
1 バイポーラトランジスタの構造と動作原理を学ぼう
2 電流増幅率は何によって決まるのか
3 低電流,高電流での電流増幅率低下は何故起こるのか
4 アーリー効果とパンチスルーについて理解しよう
5 遮断周波数とスイッチング特性を学ぼう
まとめ
演習問題
4章 pn接合を用いた複合素子
1 pinダイオードと伝導度変調効果
2 サイリスタの構造と動作原理を理解しよう
3 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の構造と動作原理を理解しよう
まとめ
演習問題
5章 絶縁体-半導体界面
1 MIS構造と界面準位を理解しよう
2 理想的なMIS構造の基本特性を理解しよう
3 実際のMIS構造を理解しよう
まとめ
演習問題
6章 MOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)
1 構造と動作原理を理解しよう
2 電流-電圧特性を理解しよう
3 エンハンスメント型とデプレション型の違いを理解しよう
4 nチャネルとpチャネルの違いを理解しよう
まとめ
演習問題
7章 MOS型電界効果トランジスタの諸現象と複合素子
1 MOSFETの諸現象を理解しよう
2 電荷結合素子を理解しよう
まとめ
演習問題
8章 ショットキー接合とヘテロ接合
1 ショットキー接合について学ぼう
2 ヘテロ接合を理解しよう
まとめ
演習問題
9章 ショットキーゲート電界効果トランジスタと高電子移動度トランジスタ
1 ショットキーゲート電界効果トランジスタについて学ぼう
2 接合ゲート電界効果トランジスタについて学ぼう
3 高電子移動度トランジスタについて学ぼう
まとめ
演習問題
10章 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
1 バイポーラトランジスタを復習しよう
2 ヘテロ接合バイポーラトランジスタの特徴を理解しよう
3 電流利得遮断周波数と最大発振周波数を理解しよう
4 HBTの利点を整理しよう
まとめ
演習問題
11章 量子効果デバイス
1 デバイスサイズの縮小とトンネル効果
2 実際のMOSFETにおけるトンネル効果
3 トンネル現象の応用 --フラッシュメモリ
4 さらに高度なトンネル効果 --共鳴トンネル効果--
5 もっと電子を閉じ込めると何が起こる?
まとめ
演習問題
12章 デバイスの集積
1 MOS集積回路の構造と作り方
2 相補型論理回路とは?
3 値を記憶する回路
まとめ
演習問題
参考図書
演習問題解答
索引
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